《物理世界》雜志公布“十大突破”,中國兩項入選
發(fā)布時間:2022-12-15 發(fā)布來源:科技日報

       近日,英國《物理世界》雜志公布了2022年度十大突破,涵蓋從量子、醫(yī)學物理學、天文學到凝聚態(tài)物質(zhì)等各個方面。這十項突破是由《物理世界》編輯小組從今年該雜志網(wǎng)站上發(fā)布的涵蓋物理學所有領域的數(shù)百項研究中精選出來的,其中,中國兩個科學家團隊因超冷多原子分子研究和未來半導體發(fā)現(xiàn)入選。中國科技大學的潘建偉、趙博和美國哈佛大學的約翰·道爾等科學家創(chuàng)造了第一個超冷多原子分子。

       30多年來,盡管物理學家一直在努力將原子冷卻到接近絕對零度,并且在2000年代中期造出了第一個超冷雙原子分子,但制造包含3個或更多原子的超冷分子的目標依然很難實現(xiàn)。

       中國科技大學和哈佛團隊使用不同且互補的技術,分別制作了220nK(納開氏度)的3原子鈉鉀分子樣品和110μK(微開氏度)的氫氧化鈉樣品。他們的成就為物理學和化學的新研究鋪平了道路,超冷化學反應的研究、量子模擬的新形式以及基礎科學的測試都得益于這些多原子分子平臺,使其更容易實現(xiàn)。

       另一項入選研究是兩個獨立的團隊——一個由美國麻省理工學院的陳剛和休斯敦大學的任志鋒領導,另一個由中國國家納米科學中心的劉新風和休斯敦大學的包吉明、任志鋒領導,發(fā)現(xiàn)立方砷化硼是科學界已知的最好的半導體之一。

       這兩個團隊進行的實驗表明,與構成現(xiàn)代電子產(chǎn)品基礎的硅等半導體相比,該材料的小而純區(qū)域具有更高的熱導率和空穴遷移率。硅的低空穴遷移率限制了硅器件的運行速度,而其低導熱性會導致電子器件過熱。





圖片來源|我圖網(wǎng)

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